Global Power Technologies Group
- Global Technologies Group Power, Inc. ( «GPTG»), заснаваны ў 2007 годзе з'яўляецца комплексным развіццём і вытворчай кампаніяй, якая спецыялізуецца на прадукцыю на аснове карбіду крэмнію (SiC) тэхналогіі. Гэтыя прадукты будуць асноватворнымі для сілавы электронікі і энергетычнай прамысловасці ў наступныя гады, калі неабходныя перадавыя тэхналогіі для нізкай кошту, высокай эфектыўнасцю вытворчасці энергіі, пераўтварэння і перадачы.катэгорыя прадукту
навіны па тэме
- Strawberry4Pi запусціць кіраванне Raspberry Pi IoT HAT на Kickstarter
2019-06-13 - Digi-Key падпісвае раздымы GCT для стандартных і спецыяльных канструкцый
2019-06-13 - Raspberry Pi прымушае HomePod працаваць з Spotify, Pandora і г.д.
2019-06-10 - Малінавая станцыя на маліне Pi
2019-06-06 - Крок кантакту і варыянты кута для серыі раздымаў харчавання
2019-06-06 - Патрэбна трывалая кабельная шпулька для карыстацкага кабеля?
2019-06-06 - Аўтамабільны кампутар на аснове маліны Pi
2019-06-04 - Раздымы DMM маюць заднюю абалонку для экранавання на 360 °
2019-06-03
спіс прадуктаў
- частка #:
FR30K05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 30A DO5 - на складзе:
13403
- частка #:
S25J - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA - на складзе:
16591
- частка #:
S16M - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA - на складзе:
16382
- частка #:
GHIS100A120S1-E1 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S - на складзе:
1275
- частка #:
FR20AR02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5 - на складзе:
14140
- частка #:
FR16BR02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 - на складзе:
20336
- частка #:
S25D - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA - на складзе:
15539
- частка #:
1N3767 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 - на складзе:
13400
- частка #:
S6D - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 - на складзе:
33822
- частка #:
MUR2540 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 - на складзе:
12655
- частка #:
FR6DR05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 - на складзе:
17984
- частка #:
FR30MR05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5 - на складзе:
11467
- частка #:
S6M - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 - на складзе:
18664
- частка #:
1N1187R - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5 - на складзе:
13300
- частка #:
GHIS030A060B1P2 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES - на складзе:
2076
- частка #:
FR16MR05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 1KV 16A DO4 - на складзе:
18331
- частка #:
FR6GR02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 - на складзе:
19927
- частка #:
FR20M05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 20A DO5 - на складзе:
13822
- частка #:
FR20B02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 20A DO5 - на складзе:
12908
- частка #:
S6MR - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 - на складзе:
17006
- частка #:
GHIS030A060B2P2 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES - на складзе:
2047
- частка #:
GSID150A120T2C1 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
SILICON IGBT MODULES - на складзе:
511
- частка #:
1N2129A - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 - на складзе:
15372
- частка #:
S12KR - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 - на складзе:
20838
- частка #:
FR20D02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 20A DO5 - на складзе:
12915
- частка #:
1N3891R - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 - на складзе:
21629
- частка #:
FR6G02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 - на складзе:
19960
- частка #:
FR40D05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 - на складзе:
11210
- частка #:
1N3765 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 700V 35A DO5 - на складзе:
11353
- частка #:
GCMS008A120B1B1 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL - на складзе:
132
- частка #:
1N3890 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 - на складзе:
22179
- частка #:
GP2D016A120U - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 - на складзе:
24744
- частка #:
1N1186 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 - на складзе:
21389
- частка #:
FR16GR02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 - на складзе:
16538
- частка #:
FR30M05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 30A DO5 - на складзе:
13502
- частка #:
1N1183R - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 - на складзе:
20439
- частка #:
S16JR - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA - на складзе:
19717
- частка #:
GP2D036A060B - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2 - на складзе:
10269
- частка #:
S6K - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 - на складзе:
18708
- частка #:
GKR26/12 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 - на складзе:
17274
- частка #:
S16D - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA - на складзе:
24383
- частка #:
FR12DR05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 - на складзе:
20745
- частка #:
GCMS007A120S7B1 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL - на складзе:
103
- частка #:
1N2128A - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 - на складзе:
14721
- частка #:
1N3209 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 15A DO5 - на складзе:
16466
- частка #:
GKR26/08 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 - на складзе:
16311
- частка #:
FR6AR05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4 - на складзе:
22029
- частка #:
GCMS020A120B1H1 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 - на складзе:
151
- частка #:
FR30B02 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 30A DO5 - на складзе:
14240
- частка #:
FR12B05 - вытворцы:
Global Power Technologies Group - апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 - на складзе:
23924